功能描述：MOSFET N-CH 100V 200A TO263

制造商：texas instruments

系列：NexFET??

包装：剪切带（CT）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：200A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：153nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：12000pF @ 50V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：375W（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：2.4 毫欧 @ 100A，10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：DDPAK/TO-263-3

封装/外壳：TO-263-4，D2Pak（3 引线 + 接片），TO-263AA

标准包装：1

CSD19536KTTT

CSD20030D

CSD20060D

CSD22202W15

CSD22204W

CSD22204WT

CSD23201W10

CSD23202W10

CSD23202W10T

CSD23203W